Research / Systems
| Line 13: | Line 13: | ||
== [[GEN III]] == | == [[GEN III]] == | ||
| − | + | The GEN III has 12 sources. | |
Revision as of 20:49, 17 September 2008
The UCSB MBE Lab currently has eight operational systems:
Contents |
System A
Quick summary of System A. Lorem ipsum dolor sit amet, consectetuer adipiscing elit. Vivamus sem. Curabitur placerat adipiscing ante. Praesent lobortis justo sit amet dolor. Sed tincidunt. Cras justo velit, gravida ac, mollis a, dignissim et, enim. Curabitur luctus purus ut orci. Fusce dapibus massa in enim. Suspendisse sit amet metus. Vestibulum ante ipsum primis in faucibus orci luctus et ultrices posuere cubilia Curae; In vel diam ut libero egestas placerat.
System C
System C is a vertical reactor with 8 ports plus a dual gas injector/pyrometry port. As of 3/3/2008, available materials are: Al, Ga, In, Er, As, Sb, Si, Be, and CBr4. In addition, there is an e-beam evaporation chamber attached under UHV, allowing the deposition of thin films of Mo and possibly W. A thermally cracked hydrogen station allows desorption of native oxides from GaSb and similar wafers without melting them.
Recent activity on System C includes: ErAs nanoparticles and films on GaAs and InGaAs for physics, tunnel junctions, and thermoelectrics, High-mobility channels for InGaAs MOSFETs are also grown on this machine, as are record low resistance ohmic contacts to InGaAs and InAs for next-generation MOSFETs and HBTs.
GEN III
The GEN III has 12 sources.
Spintronics
Quick summary of System C. Lorem ipsum dolor sit amet, consectetuer adipiscing elit. Vivamus sem. Curabitur placerat adipiscing ante. Praesent lobortis justo sit amet dolor. Sed tincidunt. Cras justo velit, gravida ac, mollis a, dignissim et, enim. Curabitur luctus purus ut orci. Fusce dapibus massa in enim. Suspendisse sit amet metus. Vestibulum ante ipsum primis in faucibus orci luctus et ultrices posuere cubilia Curae; In vel diam ut libero egestas placerat.
Nitride GEN II
Quick summary of System C. Lorem ipsum dolor sit amet, consectetuer adipiscing elit. Vivamus sem. Curabitur placerat adipiscing ante. Praesent lobortis justo sit amet dolor. Sed tincidunt. Cras justo velit, gravida ac, mollis a, dignissim et, enim. Curabitur luctus purus ut orci. Fusce dapibus massa in enim. Suspendisse sit amet metus. Vestibulum ante ipsum primis in faucibus orci luctus et ultrices posuere cubilia Curae; In vel diam ut libero egestas placerat.
Nitride 930
Quick summary of System C. Lorem ipsum dolor sit amet, consectetuer adipiscing elit. Vivamus sem. Curabitur placerat adipiscing ante. Praesent lobortis justo sit amet dolor. Sed tincidunt. Cras justo velit, gravida ac, mollis a, dignissim et, enim. Curabitur luctus purus ut orci. Fusce dapibus massa in enim. Suspendisse sit amet metus. Vestibulum ante ipsum primis in faucibus orci luctus et ultrices posuere cubilia Curae; In vel diam ut libero egestas placerat.
Oxide 930
Quick summary of System C. Lorem ipsum dolor sit amet, consectetuer adipiscing elit. Vivamus sem. Curabitur placerat adipiscing ante. Praesent lobortis justo sit amet dolor. Sed tincidunt. Cras justo velit, gravida ac, mollis a, dignissim et, enim. Curabitur luctus purus ut orci. Fusce dapibus massa in enim. Suspendisse sit amet metus. Vestibulum ante ipsum primis in faucibus orci luctus et ultrices posuere cubilia Curae; In vel diam ut libero egestas placerat.
Oxide 620
Quick summary of System C. Lorem ipsum dolor sit amet, consectetuer adipiscing elit. Vivamus sem. Curabitur placerat adipiscing ante. Praesent lobortis justo sit amet dolor. Sed tincidunt. Cras justo velit, gravida ac, mollis a, dignissim et, enim. Curabitur luctus purus ut orci. Fusce dapibus massa in enim. Suspendisse sit amet metus. Vestibulum ante ipsum primis in faucibus orci luctus et ultrices posuere cubilia Curae; In vel diam ut libero egestas placerat.
